技術編號：7170266
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于功率半導體器件制造領域，尤其涉及一種功率器件終端環(huán)的制造方法及其結構。背景技術隨著集成電路的發(fā)展，作為第三代電力電子產品的現(xiàn)代高壓功率半導體器件絕緣柵雙極晶體管Qnsulated gate bipolar transistor, IGBT)由于結合了絕緣柵MOS晶體管與雙極型晶體管的高電流密度特性、且導通電阻的大幅度降低為IGBT合理有效地提升耐壓帶來了可操作空間。耐壓是IGBT的一個重要參數(shù)，而要確保IGBT能獲得較高耐壓的一個重要前提條件就是...
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