技術(shù)編號：7170260
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本文描述的實施方案涉及化合物半導(dǎo)體器件和制造化合物半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)正在研究通過利用氮化物半導(dǎo)體的特性如高飽和電子速度、寬帶隙等將氮化物半導(dǎo)體應(yīng)用于高電壓耐受性高輸出半導(dǎo)體器件。例如作為氮化物半導(dǎo)體的GaN的帶隙為3. 4eV，其大于Si的帶隙(I. IeV)和GaAs的帶隙(I. 4eV)，由此具有高擊穿電場強度。因此，GaN具有用作從其可獲得高電壓操作和高輸出的用于電源的半導(dǎo)體器件的材料的巨大前景。場效應(yīng)晶體管、特別是高電子遷移率晶體管(HEM...
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