技術(shù)編號：7170105
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域，尤其涉及一種帶有絕緣埋層的輻射加固材料制備。背景技術(shù)基于絕緣體上的硅(SOI)的集成電路相對基于體硅的集成電路具有更低的功耗、更快的速度、更高的集成度、更簡單的工藝、更能耐高溫，因此基于絕緣體上的硅(SOI)的集成電路被認(rèn)為是未來延續(xù)莫爾定律的主要技術(shù)手段之一。并且由于器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢，使得SOI電路相對體硅電路具有更強(qiáng)的抗單粒子輻射和瞬態(tài)劑量率輻射的能力，因而被廣泛應(yīng)用于輻射環(huán)境下的電子學(xué)系統(tǒng)中。但絕緣埋層的存在，使得SOI器...
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