技術編號：7170033
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開涉及半導體器件制造領域，特別是涉及形成磁隧道結(MTJ)的方法。背景技術隨著半導體器件的集成度越來越高，包含磁隧道結(MTJ)結構的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)以其在讀/寫速度、功耗以及壽命等方面的優(yōu)勢而被認為是下一代半導體存儲器件。在MTJ元件中，磁阻比隨著兩個鐵磁層的磁化方向而改變。通過基于該磁阻比改變的電壓改變或電流改變可以確定在MTJ元件中存儲的信息是邏輯I還是邏輯O。磁隧道結是尺寸非常小的結構，如在美國專利申請公報US2010/12994...
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