技術(shù)編號：7169694
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路制造，具體來說，本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù)功率器件包括MOSFET、IGBT及其模塊已被廣泛應(yīng)用于汽車電子、開關(guān)電源以及工業(yè)控制等領(lǐng)域，是目前一大熱門研究領(lǐng)域。隨著集成電路微細加工技術(shù)的發(fā)展，溝槽 (Trench)結(jié)構(gòu)的功率器件成為目前最流行的功率開關(guān)器件之一，它采用在溝槽側(cè)壁生長柵氧化層并填充多晶硅形成柵極。這種溝槽柵結(jié)構(gòu)大大提高了器件平面面積的利用效率，使得單位面積可獲得更大的器件單元溝道寬度，從而獲得更大的電流導(dǎo)通能力。已有溝槽絕緣柵...
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