技術(shù)編號:7169330
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體二極管芯片生產(chǎn),特別涉及一種高電壓瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)芯片及生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)目前半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)芯片通常采用紙?jiān)磧纱螖U(kuò)散單擴(kuò)散結(jié)的生產(chǎn)工藝?,F(xiàn)有技術(shù)存在問題生產(chǎn)瞬態(tài)電壓抑制器芯片使用單個擴(kuò)散結(jié)時,如果反向擊穿電壓達(dá)到250以上,當(dāng)芯片擊穿時,臺面的表面電場過高,造成表面擊穿先于體內(nèi)擊穿,擊穿電流集中分布在臺面附近,使臺面的結(jié)溫上升,容易造成芯片的損壞,所以行業(yè)內(nèi)瞬態(tài)電壓抑制器反向擊穿電壓多為250V以下,250V...
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