技術(shù)編號：7168950
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種超級結(jié)工藝中的深溝槽結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及一種超級結(jié)工藝中深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法。背景技術(shù)超級結(jié)MOSFET (金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)因其具有超級結(jié)結(jié)構(gòu)，使得該器件在截止狀態(tài)下產(chǎn)生耗盡層，從而提高器件的耐壓。在華虹NEC電子有限公司自主知識產(chǎn)權(quán)的深溝超級結(jié)工藝中，溝槽(trench)深度能達到35um以上。從原理上分析,縮小溝槽尺度的同時加大溝槽填充濃度，能保持擊穿電壓不變，并縮小芯片面積，提高單枚硅片的芯片數(shù)量，...
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