技術(shù)編號(hào)：7168921
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明為半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)和制作，具體涉及半導(dǎo)體快閃(FLASH)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制備方法。本發(fā)明的另一目的是提供上述快閃存儲(chǔ)器的制備方法。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種半導(dǎo)體快閃存儲(chǔ)器，為一MOS晶體管，包括硅襯底及其上的絕緣介質(zhì)層、源/漏區(qū)、溝道區(qū)、隧穿介質(zhì)層、阻擋介質(zhì)層、控制柵和浮柵，所述溝道區(qū)為所述絕緣介質(zhì)層上一垂直于所述硅襯底的硅墻；所述溝道區(qū)左右兩側(cè)依次縱向排列隧穿介質(zhì)層、浮柵、阻擋介質(zhì)層、控制柵；分布在所述溝道區(qū)左右兩側(cè)的控制柵、浮柵相互自對(duì)準(zhǔn)。當(dāng)控...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。