技術(shù)編號：7168403
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。無結(jié)納米線場效應(yīng)晶體管本發(fā)明屬于半導體，具體涉及一種分裂環(huán)柵無結(jié)納米線場效應(yīng)晶體管。技術(shù)背景集成電路的發(fā)展一直按照摩爾定律的指引，使得集成電路密度更高、功耗更小、能夠?qū)崿F(xiàn)的功能越多，而這一切都離不開器件尺寸縮小和性能的提高。但是隨著器件尺寸的不斷縮小，特別是器件進入深納米尺度，器件的各種二級效應(yīng)，例如短溝道效應(yīng)、漏致勢壘降低效應(yīng)等，導致器件性能下降。因此為了抑制短溝道等不良效應(yīng)，提高器件性能，許多新型的器件結(jié)構(gòu)被不斷提出，例如雙柵器件、三柵器件、魚鰭式場效...
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