技術(shù)編號(hào)：7168177
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光電，特別是可獲得三基色光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)目前，以GaN材料為代表的II1-V族氮化物半導(dǎo)體材料，在紫外/藍(lán)光/綠光LED、激光器、光電探測(cè)器，以及在高溫高頻大功率電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。在GaN基發(fā)光二極管LED及激光器LD結(jié)構(gòu)中，有源發(fā)光層的禁帶寬度決定了 LED或LD器件的出射光波長(zhǎng)。自1970年來(lái)，可以發(fā)出紅色到黃色光譜范圍光的LED或LD器件已經(jīng)比較成熟，而要得到高效短波長(zhǎng)的出射光仍是目前的一個(gè)難題。若能擴(kuò)大LED器件的發(fā)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。