技術(shù)編號(hào)：7167577
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件，具體涉及一種隧穿場效應(yīng)晶體管的制造方法， 特別涉及一種源極采用窄禁帶寬度材料的。背景技術(shù)近年來，以硅集成電路為核心的微電子技術(shù)得到了迅速的發(fā)展，集成電路芯片的發(fā)展基本上遵循摩爾定律，即半導(dǎo)體芯片的集成度以每18個(gè)月翻一番的速度增長。可是隨著半導(dǎo)體芯片集成度的不斷增加，MOS晶體管的溝道長度也在不斷的縮短，當(dāng)MOS晶體管的溝道長度變得非常短時(shí)，短溝道效應(yīng)會(huì)使半導(dǎo)體芯片性能劣化，甚至無法正常工作。垂直溝道的隧穿晶體管是一種漏電流非常小的晶...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。