技術編號：7167494
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別涉及一種。背景技術功率器件是集成電路中較為常見的器件之一。功率器件可以包括大功率的NMOS 管(NM0SFET，N型金屬氧化物場效應晶體管)和PMOS管(PM0SFET，P型金屬氧化物場效應晶體管)。請參考圖1，其示出了現(xiàn)有技術中的一種NMOS管100的版圖示意圖。該NMOS管100 可以通過平面工藝及自對準工藝制備。該NMOS管100包括三個電極，分別是源極(source)、 漏極(drain)和柵極(gate)。在圖示版圖...
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