技術(shù)編號(hào)：7167169
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGate Bipolar Transistor, IGBT)，涉及溝槽型IGBT的制備方法以及采用該制備方法所制備形成的IGBT，尤其涉及正面工藝基本在半導(dǎo)體襯底的正面完成、而背面工藝在半導(dǎo)體襯底背面生長(zhǎng)的外延層中完成的溝槽型IGBT制備方法。背景技術(shù)IGBT是一種常見(jiàn)的功率型器件，其是大電流開(kāi)關(guān)主流器件之一，廣泛應(yīng)用于高壓大電流情況下，例如，應(yīng)用于工作電壓在1200V的情況下。IGBT中，按照柵極的結(jié)構(gòu)類型...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。