技術(shù)編號(hào)：7166882
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)具有P-I-N結(jié)構(gòu)的光傳感器是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。在具有 P-I-N結(jié)構(gòu)的光傳感器中，可以將負(fù)電壓施加到P型摻雜區(qū)域，并可以將正電壓施加到N型摻雜區(qū)域。在該狀態(tài)下，如果光入射到光傳感器上，入射光的能量導(dǎo)致在本征區(qū)內(nèi)產(chǎn)生電子和空穴，或者導(dǎo)致在N/P型摻雜區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生電子和空穴，然后使電子和空穴擴(kuò)散到本征區(qū)。 結(jié)果，電流因本征區(qū)的反向電場(chǎng)而流過光傳感器。在這點(diǎn)上，更多的光或更高的能量導(dǎo)致更多的電流流過光傳感器，并且晶體管根據(jù)電流...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。