技術(shù)編號(hào)：7166552
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，更準(zhǔn)確地說，涉及 一種其中所述半導(dǎo)體晶片按照單晶片處理模式進(jìn)行清潔的方法。背景技術(shù)單晶片清潔方法相對(duì)于其中多個(gè)晶片同時(shí)進(jìn)行清潔的多晶片清潔方法 具有某些優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)包括低的化學(xué)品消耗、高的工藝靈活性以及使用 不同的清潔溶液處理晶片前側(cè)和晶片后側(cè)的可能性。單晶片清潔方法的特 別的優(yōu)點(diǎn)在于排出了交叉污染、即污染物在半導(dǎo)體晶片之間轉(zhuǎn)移的危險(xiǎn)性。 而這些方法的本質(zhì)缺點(diǎn)在于，與多晶片處理相比其生產(chǎn)能力較低。但是，由于具有非常大直徑(300 rnm)的硅...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。