技術(shù)編號(hào)：7166447
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，特別是涉及。背景技術(shù)電容器是集成電路中常用的電子元器件，也是集成電路的重要組成單元，其可以被廣泛地應(yīng)用于存儲(chǔ)器，微波，射頻，智能卡，高壓和濾波等芯片中。目前，芯片中廣為采用的電容器是平行于硅片襯底的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器。其中金屬通常采用與金屬互連工藝相兼容的銅、鋁等，絕緣體多為高介電常數(shù)(k)的電介質(zhì)材料氧化硅或氮化硅， 等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。