技術(shù)編號：7166411
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體是指一種帶有雙浮動保護(hù)環(huán)的平面型雪崩二極管探測器的制作方法。背景技術(shù)近年來由于生物光子學(xué)、醫(yī)學(xué)影像、量子通信以及加密系統(tǒng)等的快速發(fā)展，對能實(shí)現(xiàn)單光子探測的光電探測器需求日漸增強(qiáng)，只有實(shí)現(xiàn)對微弱信號甚至單光子源的探測，才能促進(jìn)上述領(lǐng)域蓬勃的發(fā)展。其中，雪崩二極管探測器(APD)作為可用作單光子探測的主要類型之一，早已被廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)的光纖通信等領(lǐng)域。與PIN探測器相比，APD具有自身內(nèi)部增益的特點(diǎn)，不需要外部放大器對探測信號進(jìn)行...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。