技術(shù)編號(hào)：7166405
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硅中間帶材料制備，尤其涉及，具體是一種采用納秒、皮秒及飛秒激光對(duì)蒸鍍有鈦薄膜表層的硅材料進(jìn)行輻照，在硅材料表層實(shí)現(xiàn)超過Mott相變鈦元素?fù)诫s濃度的硅中間帶材料制備方法。背景技術(shù)利用深能級(jí)在禁帶中的位置離價(jià)帶和導(dǎo)帶都比較遠(yuǎn)，高濃度摻雜深能級(jí)雜質(zhì)的材料禁帶變窄效應(yīng)不顯著，高濃度深能級(jí)中心波函數(shù)相互交疊，載流子可以在深能級(jí)允態(tài)之間做共有化運(yùn)動(dòng)，在禁帶中形成雜質(zhì)能帶。普遍認(rèn)為只有摻雜激活濃度超過Mott極限間隙帶才能形成，這只是針對(duì)平衡摻雜方法制備的材料...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。