技術編號：7165365
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是有關于設計一光罩與應用該光罩的制程方法，特別是有關于一種減少透鏡像差(lens aberration)以提高數(shù)組圖案(array patterns)間關鍵尺寸(critical dimension，CD)一致性與消除因偏軸發(fā)光(off-axis illumination，OAI)造成的圖案移位(pattern displacement)現(xiàn)象的光罩與方法。背景技術 半導體制程中，微影(lithography)是以步進(step-by-step)或是掃...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。