技術(shù)編號：7165097
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在硅上制作集成電路，特別涉及用于在硅片上提供低溫、高質(zhì)量二氧化硅層的方法和裝置。硅的熱氧化具有不同的氧化率，這取決于硅的結(jié)晶取向。在900℃的干燥O2氣氛下，1小時內(nèi)在硅(111)上生長30nm的硅氧化層，而在相同溫度下相同時間內(nèi)，在硅(100)上只生長大約21nm。在900℃下濕式氧化1小時，硅(111)上的厚度大約是215nm，但是在硅(100)上只有150nm。這種差別對于淺槽隔離的氧化作用是重要的。同樣已知高溫氧化會在硅界面引起層積缺陷，...
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