技術(shù)編號(hào):7164972
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域,特別是涉及一種鍺硅HBT工藝中垂直寄生型PNP三極管,本發(fā)明還涉及一種鍺硅HBT工藝中垂直寄生型PNP三極管的制作方法。背景技術(shù)在射頻產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用中,需要越來越高的器件特征頻率。NPN三極管,特別是鍺硅(SiGe)異質(zhì)結(jié)三極管(HBT)或者鍺硅碳(SiGeC)異質(zhì)結(jié)三極管是超高頻器件的很好選擇。并且SiGe工藝基本與硅工藝相兼容,因此SiGe HBT已經(jīng)成為超高頻器件的主流之一。在這種背景下,其對輸出器件的要求也相應(yīng)地提...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。