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鍺硅hbt工藝中垂直寄生型pnp三極管及制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7164972

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域,特別是涉及一種鍺硅HBT工藝中垂直寄生型PNP三極管,本發(fā)明還涉及一種鍺硅HBT工藝中垂直寄生型PNP三極管的制作方法。背景技術(shù)在射頻產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用中,需要越來越高的器件特征頻率。NPN三極管,特別是鍺硅(SiGe)異質(zhì)結(jié)三極管(HBT)或者鍺硅碳(SiGeC)異質(zhì)結(jié)三極管是超高頻器件的很好選擇。并且SiGe工藝基本與硅工藝相兼容,因此SiGe HBT已經(jīng)成為超高頻器件的主流之一。在這種背景下,其對輸出器件的要求也相應(yīng)地提...
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