技術(shù)編號(hào)：7164673
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于預(yù)估MOS管的閾值電壓的方法。背景技術(shù)金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS,Metal-Oxide-Semiconductor)器件是半導(dǎo)體器件向高密度和小尺寸發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。MOS結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS晶體管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CM0S-1C。圖1示出了 MOS管的基本工作原理。以N型MOS管為例，當(dāng)在NMOS的金屬柵極施加...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。