技術(shù)編號：7164107
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)在半導體集成電路制造中，銅互連工藝通常需要經(jīng)過如下四個工藝步驟去氣、預清洗、Ta(N)沉積、Cu沉積。其中去氣工藝通常在去氣腔室中進行，主要工藝是將基片加熱至350°C左右，以去除基片上的水蒸汽及其它易揮發(fā)雜質(zhì)。實驗表明，去氣工藝對基片加熱均勻性要求較高，如果均勻性不能保證，將出現(xiàn)某些區(qū)域易揮發(fā)雜質(zhì)去除不完全情況，嚴重的局部溫度不均勻可能會造成碎片。此外，出于產(chǎn)率的考慮，希望基片能夠盡快的到達工藝溫度，基于此，這種類型的加熱通常使用加熱...
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