技術(shù)編號：7163675
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種工藝方法，尤其涉及。 背景技術(shù)隨著集成電路半導(dǎo)體關(guān)鍵尺寸的逐漸縮小，半導(dǎo)體集成電路中器件與器件的隔離技術(shù)也由原來的硅局部氧化隔離發(fā)展為淺溝槽隔離。典型的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)包括形成于襯底的溝槽以及填充于溝槽中的絕緣介質(zhì)，其中絕緣介質(zhì)一般為氧化硅。由于高密度等離子體(High Density Plasma，簡稱HDP)化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor D印osition，簡稱CVD，)法具有濺射(Sputtering，簡稱S)與淀積(D印o...
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