技術(shù)編號(hào)：7163454
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，屬于晶體硅太陽能電池領(lǐng)域。背景技術(shù)當(dāng)前，晶體硅太陽能電池由于受制于光學(xué)損失，電子空穴的復(fù)合，以及電極相關(guān)的各種電阻損失等因素，效率還存在很大的提升空間。為了提高電池片的光電轉(zhuǎn)換效率，吸收和轉(zhuǎn)換更多的光子是很有必要的。降低表面反射和增加受光面積是增加光子吸收重要途徑。降低表面反射通常通過表面制絨和鍍減反膜來實(shí)現(xiàn)。然而表面電極對(duì)光的反射仍制約著電池片對(duì)光的吸收。細(xì)化表面電極和采用新的電極結(jié)構(gòu)成為了熱門研究課題。MWT(Metal Wrap thro...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。