技術(shù)編號(hào)：7162961
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是涉及的發(fā)明，例如被應(yīng)用于通過在半導(dǎo)體襯底上形成溝槽、將氧化膜充填在該溝槽內(nèi)而形成的具有STI結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件和該半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù) 一般，在硅襯底(以下僅稱為襯底)上形成的半導(dǎo)體器件中，為了將晶體管等元件之間進(jìn)行電隔離，形成采用了氧化硅膜等的元件隔離結(jié)構(gòu)。在形成元件隔離結(jié)構(gòu)時(shí)，由于有選擇地對(duì)襯底進(jìn)行氧化的LOCOS(硅的局部氧化)法不適合于元件隔離膜的微細(xì)化，所以，現(xiàn)在在多種微細(xì)器件中，采用了通過對(duì)襯底有選擇地進(jìn)行刻蝕，形成溝槽，并將氧...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。