技術(shù)編號(hào)：7162960
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體地說(shuō)，涉及制造具有鑲嵌互連的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體制造方法中通常使用常規(guī)的光刻工藝形成想要的圖形。然而，隨著設(shè)計(jì)規(guī)則的降低，也減小了光刻工藝中的對(duì)準(zhǔn)裕度。這樣，利用常規(guī)的光刻的工藝逐漸地難以形成想要的圖形。即使當(dāng)形成半導(dǎo)體器件例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的位線時(shí)，也會(huì)出現(xiàn)這種困難。例如，如果位線寬度是100nm，誤對(duì)準(zhǔn)裕度是40nm，那么需要存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔的寬度是nm。該尺寸超出了常規(guī)的曝光設(shè)備的極...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。