技術編號：7162951
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具備包含了磁阻元件的存儲單元的半導體集成電路器件。背景技術 近年，提出了很多種根據(jù)新原理存儲信息的存儲器。作為其中之一，我們知道利用了磁阻效應、特別是Roy Scheuerlein等人提出的隧道型磁阻(Tunneling Magneto-Resistive以下稱作TMR)效應的磁隨機存儲器。(參考文獻)ISSCC2000 Technical Digest p.128“A 10ns Read and WriteNon-Volatile Memory...
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