技術編號：7162787
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于功率半導體器件，涉及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，更具體的說，涉及抗閂鎖效應的IGBT器件。背景技術功率器件作為當代電力電子技術不可或缺的核心器件，近幾十年來得到了飛速的發(fā)展。隨著研究的不斷深入，功率器件一直向著高頻率，高耐壓，低損耗的方向發(fā)展。IGBT 作為一種柵極控制的開關器件，利用電導調(diào)制效應降低了器件的導通壓降，迎合了功率器件的發(fā)展方向，成為了中高壓開關，中頻變頻器不可或缺的功率產(chǎn)品。傳統(tǒng)的IGBT器件結構如圖1所示，N型源區(qū)8，P型基...
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