技術編號：7162376
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造工藝，具體而言涉及一種接觸孔蝕刻后處理方法。背景技術當半導體制造工藝來到45nm及以下節(jié)點時，作為位線(BL)的接觸孔與作為字線(WL)的多晶硅柵極之間的間距變得更窄。如此窄的間距將迫近半導體制造工藝的邊際，當接觸孔的特征尺寸(CD)隨機變大或者圖形轉移過程發(fā)生時，這一問題變得尤為突出。傳統(tǒng)的接觸孔制造工藝是在已形成柵極結構和自對準硅化物的半導體襯底上形成一接觸孔蝕刻停止層(CESL)，其材料通常為氮化硅；然后蝕刻所述氮化硅，以露出形成...
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