技術編號：7161884
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體功率器件，涉及受可動離子沾污影響的硅制高壓功率器件，特別適用于硅制超結縱向雙擴散金屬氧化物場效應晶體管(Superjunction VDMOS, 即超結VDM0S，一下均簡寫為超結VDM0S)，更具體的說，涉及一種在高溫反偏條件下具有高可靠性的硅制超結VDMOS的終端結構。背景技術目前，功率器件在日常生活、生產(chǎn)等領域的應用越來越廣泛，特別是功率金屬氧化物半導體場效應晶體管，由于它們擁有較快的開關速度、較小的驅(qū)動電流、較寬的安全工作區(qū)，因此受...
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