技術(shù)編號(hào)：7161813
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體器件，涉及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，更具體的說，涉及浮空埋層IGBT器件。背景技術(shù)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOS場(chǎng)效應(yīng)和雙極型晶體管復(fù)合的新型電力電子器件。它既有MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管導(dǎo)通壓降低，通態(tài)電流大，損耗小的優(yōu)點(diǎn)，已成為現(xiàn)代電力電子電路中的核心電子元器件之一，廣泛應(yīng)用在諸如機(jī)車牽引、電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、UPS電源、空調(diào)等領(lǐng)域的變頻調(diào)速逆變裝置中。從IGBT發(fā)明以來，人們一直致力于改...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。