技術(shù)編號：7161789
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其方法。背景技術(shù)傳統(tǒng)的高壓N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體器件HVNM0S，通過SD和低壓N阱LVNW的兩種注入形成漏端，在工作時，靠近源端的PN結(jié)空間電荷區(qū)比較寬，空間電荷區(qū)在DNW端為雜質(zhì)失去電子形成的帶正電的雜質(zhì)離子，LVPW端為失去空穴形成的帶負(fù)電的雜質(zhì)離子，內(nèi)電場由正電區(qū)指向負(fù)電區(qū)(如下圖所示)，形成的電場強度比較大，碰撞幾率比較大，形成較大的空穴電流。傳統(tǒng)的HVNMOS器件，通過SD和LVNW的兩種注入形成源漏端，在工作時，靠近...
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