技術(shù)編號(hào):7161664
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種MOM (metal-oxide-metal)電容及其制作方法,屬于集成電路制造,尤其涉及。背景技術(shù)隨著CMOS器件尺寸的不斷縮小,其后段互聯(lián)所用的介電質(zhì)的介電常數(shù)k也不斷降低,人們也在不斷尋找新的介電質(zhì)材料,從最初單純的二氧化硅發(fā)展到了 FSG、SiOC,直到 45nm節(jié)點(diǎn)一下的多孔的超低k薄膜。參考圖1和圖2所示出的現(xiàn)有技術(shù)的屬-氧化物-金屬電容的結(jié)構(gòu)示意圖,其中, 為了更好的進(jìn)行說(shuō)明,圖1劃分了銅互連區(qū)域1和金屬-氧化物-金屬電容區(qū)域1...
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