技術(shù)編號：7161419
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及ー種短波長光探測器及其制造方法。背景技術(shù)近年來隨著天文、空間技術(shù)、高能物理等的深入研究，以及微電子和通信信息技術(shù)發(fā)展，紫外光探測技術(shù)激發(fā)了人們的研究興趣，世界各國把固態(tài)紫外探測器技術(shù)列為當(dāng)今的研究開發(fā)重點(diǎn)課題。 以前的紫外光探測主要是使用硅(Si)材料，其對紫外光敏感性不高，探測短波長光輻射的硬度低、工作壽命短等缺點(diǎn)導(dǎo)致Si探測器的使用窗ロ大大縮減，無法使用在導(dǎo)彈煙霧探測、空氣質(zhì)量檢測、紫外光劑量測試中，因此需要一種更高寬禁帶、高...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。