技術編號：7161258
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。 背景技術目前，各領域中廣泛使用了具有諸如EEPR0M(電可擦除可編程ROM)或閃存等非易失性存儲單元的半導體裝置。其重寫次數、諸如數據保持穩(wěn)定性(data retention tolerance)等可靠性的提高以及結構小型化是重要的課題。另一方面，近來市場上以浮動型為代表的閃存受到關注，這是因為據說電阻變化型非易失性存儲元件不僅具有簡單結構、高速重寫功能和多值技術，還具有高可靠性，并且適用于高性能和高集成度的情況。由于包含相變RAM(PRAM...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。