技術(shù)編號：7160178
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種柵氧和柵電極的制備方法，具體涉及，屬于半導體集成電路制造。背景技術(shù)隨著金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)特征尺寸的不斷縮小，絕緣柵介質(zhì)層也按照等比例縮小的原則變得越來越薄，當柵介質(zhì)層薄到一定程度后，其可靠性問題，尤其是與時間相關(guān)的擊穿及柵電極中的雜質(zhì)向襯底的擴散等問題，將嚴重影響器件的穩(wěn)定性和可靠性。現(xiàn)在，SiO2作為柵介質(zhì)已經(jīng)達到其物理極限，會由于量子直接隧穿效應(yīng)而導致柵極漏電流顯著增加，使器件功耗變大，同時可靠性變壞。用高k...
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