技術(shù)編號(hào)：7160072
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。更特別地，本發(fā)明涉及用于制造具有氣隙的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)隨著集成電路技術(shù)的進(jìn)步，限制半導(dǎo)體器件的速度的主要因素已不再是晶體管延遲，而是與導(dǎo)電材料(例如金屬)互連相關(guān)聯(lián)的電阻-電容(RC)延遲。認(rèn)識(shí)到這一點(diǎn)之后，為了減小導(dǎo)電材料互連的電容從而減小RC延遲，已進(jìn)行了大量工作用于研發(fā)新的材料和制造工藝。例如，作為導(dǎo)電材料互連層中的電介質(zhì)材料，可盡量采用具有低介電常數(shù)的電介質(zhì)材料。還研發(fā)了在導(dǎo)電材料之間做出氣隙以進(jìn)一步減小介電常數(shù)以減小導(dǎo)電材料...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。