技術(shù)編號：7158447
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，屬于半導(dǎo)體。 背景技術(shù)覆金屬陶瓷基板的主要應(yīng)用于功率電子器件行業(yè)，在一個功率模塊里有數(shù)個功率半導(dǎo)體芯片，如MOSFET或IGBT芯片以及二極管芯片被集成并被焊接于或被粘貼于覆金屬陶瓷基板的金屬化表面上，而陶瓷基板的作用是在保證良好導(dǎo)熱性能的同時(shí)還提供了相對于模塊底板的電氣絕緣。通常功率電子器件需要在-40°C至125°C的溫度循環(huán)環(huán)境下進(jìn)行工作，由于陶瓷基板與金屬層的熱膨脹系數(shù)不能匹配，在溫度循環(huán)條件下會在陶瓷基板與金屬層之間產(chǎn)生循環(huán)熱應(yīng)力...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。