技術(shù)編號：7158442
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種集成電路工藝制造技術(shù)，尤其涉及一種提高NMOS器件性能的應(yīng)變硅NMOS器件的制造方法。背景技術(shù)近年來，電子消費(fèi)品、通訊業(yè)的爆炸式發(fā)展使得高速、低功耗的處理器芯片在市場上有著極為廣大的需求，進(jìn)一步提升晶體管的工作速度成為當(dāng)務(wù)之急。直到最近為止，提高M(jìn)OS器件速度的方法都在于減小溝道長度以及柵介質(zhì)層的厚度，然而在小于IOOnm的溝道長度情況下，器件進(jìn)一步縮小受到了物理極限以及設(shè)備成本的限制。隨著工藝逐步進(jìn)入 90nm、65nm甚至是45nm時代，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。