技術(shù)編號：7158207
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，特別是。背景技術(shù)在集成電路的發(fā)展中，用金屬作柵電極，可以從根本上消除多晶硅柵耗盡層效應(yīng)和P型場效應(yīng)晶體管的硼穿透效應(yīng)，獲得非常低的柵極薄層電阻，而且金屬柵能很好地與高介電常數(shù)柵介質(zhì)兼容，有效地克服費(fèi)米釘扎效應(yīng)。因此金屬柵的制備方法成為非常重要的技術(shù)手段。由于金屬柵很容易在空氣中氧化，所形成的氧化層會導(dǎo)致接觸孔斷開，因此必須在沉積接觸孔粘合層之前去除該氧化層。在現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用氬濺射法去除金屬柵頂端由于自氧化而形成的氧...
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