技術(shù)編號：7157910
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實施方式涉及用于電力設(shè)備的電力半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)對于逆變器等電力設(shè)備內(nèi)的開關(guān)元件中使用的IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)及 IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)等(以下，IGBT 等))的電力半導(dǎo)體器件，要求降低導(dǎo)通狀態(tài)下的耗電和關(guān)斷損失。關(guān)斷損失是在關(guān)斷時蓄積在基極層中的載流子排出時所消耗的電力。減少向基極層注入的載流子的量對于減少關(guān)斷損失是較有效的。減少P...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。