技術(shù)編號(hào)：7157892
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及。背景技術(shù)目前，半導(dǎo)體制造工業(yè)主要在硅襯底的晶片(wafer)器件面上生長(zhǎng)器件，例如，互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。現(xiàn)在普遍采用雙阱CMOS工藝在硅襯底上同時(shí)制作導(dǎo)電溝道為空穴的P型溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)和導(dǎo)電溝道為電子的η型溝道M0SFET，具體步驟為首先，將硅襯底中的不同區(qū)域通過(guò)摻雜分別成為以電子為多數(shù)載流子的(η型)硅襯底和以空穴為多數(shù)載流子的(P型)硅襯底之后，在η型硅襯底和P型硅襯...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。