技術(shù)編號：7157451
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有楔型腔或非平行腔結(jié)構(gòu)的磷化銦(InP)基光電子器件的制備方法，特別涉及了光探測器中楔形結(jié)構(gòu)以及基于空氣隙的諧振腔結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方法。背景技術(shù) 目前的各種半導體光電子器件，其結(jié)構(gòu)上的一大特點就是在垂直于其襯底的方向上屬于分層結(jié)構(gòu)，并且各層結(jié)構(gòu)之間通常是彼此平行的(且平行于襯底表面)，這是由于半導體外延生長工藝所決定的。多年來半導體器件的發(fā)展均承襲了這一結(jié)構(gòu)。近年來，隨著光通信、光信息處理技術(shù)的飛速發(fā)展，楔形結(jié)構(gòu)在光波導互連(如光波模式變換)、解...
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