技術(shù)編號(hào):7157118
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用等離子處理裝置的,特別涉及抑制異物的。背景技術(shù)為了制造高精細(xì)化、復(fù)雜化的半導(dǎo)體器件,就需要對(duì)作為被蝕刻材料的膜高選擇性地且垂直地進(jìn)行等離子蝕刻的技術(shù)。作為其一,相對(duì)于基底及作為掩模材料使用的氧化硅膜(SiO2)高選擇性地且垂直地等離子蝕刻氮化硅膜(Si3N4)就成為重要課題。作為解決此課題的技術(shù),在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了使用CH3或CH2F2等由C、H、F組成且F對(duì)H之比小于等于2的這種氣體,相對(duì)于氧化硅膜以高選擇比蝕刻氮化硅膜這一方法。另外,在...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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