技術(shù)編號：7156678
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及。背景技術(shù)磁隨機(jī)存取存儲器(MagnetoResistive Random Access Memory,MRAM)是固體存儲器，其主要利用作為信息記錄載體的磁性隧道結(jié)(MTJ)的磁化方向的改變，以達(dá)到寫入和讀出記錄信息的效果。所述磁性隧道結(jié)內(nèi)具有自身固定的磁性方向，當(dāng)外界提供的電流流經(jīng)所述磁性隧道結(jié)時，將磁化所述磁性隧道結(jié)，即在所述磁性隧道結(jié)內(nèi)產(chǎn)生磁化方向。當(dāng)磁化方向與固定的磁性方向相同時，所述磁性隧道結(jié)處于平行狀態(tài)；當(dāng)磁化方向與...
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