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技術(shù)編號(hào)：7156503

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及一種。背景技術(shù)IGBT ·(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)、FRD (FastRecovery Diode,快恢復(fù)二極管)等都是帶場(chǎng)阻擋層的半導(dǎo)體器件。IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種大功率的電力電子器件，特別是大于1200伏以上的IGBT，需要增加背面場(chǎng)阻擋層提高耐壓，減少空穴的發(fā)射效率，降低拴...
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