技術(shù)編號(hào)：7156301
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法，特別涉及一種m-plane氮化鎵磊晶層的結(jié)構(gòu)與制造方法。背景技術(shù)以氮化鎵為基的裝置，特別是發(fā)光二極管(LEDs)，對(duì)能源效益以及環(huán)境保護(hù)具有強(qiáng)大的推動(dòng)力。近來，發(fā)光二極管是制造在氮化鎵磊晶層之上，特別是在c-plane藍(lán)寶石基板上。在經(jīng)濟(jì)市場(chǎng)上，由于低成本與大規(guī)模的晶圓供應(yīng)以及c-plane藍(lán)寶石基板的可取得性，以氮化鎵為基的發(fā)光二極管具有量產(chǎn)的潛能。由于受限量子斯塔克效應(yīng)(quantum-confined stark ...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。