技術(shù)編號：7156298
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，載流子遷移率增強(qiáng)技術(shù)獲得了廣泛的研究和應(yīng)用。 提高溝道區(qū)的載流子遷移率能夠增大MOS器件的驅(qū)動電流，提高器件的性能。提高載流子遷移率的一種有效機(jī)制是在溝道區(qū)中產(chǎn)生應(yīng)力。為此，嵌入式SiGe技術(shù)被廣泛應(yīng)用以提高PMOS的性能。嵌入式SiGe技術(shù)通過在PMOS的源區(qū)和漏區(qū)嵌入SiGe 材料，能夠向溝道區(qū)施加壓應(yīng)力，使得PMOS的性能得到顯著提升。在嵌入式SiGe技術(shù)中，可以通過提高SiGe材料中...
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