技術(shù)編號：7155592
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種溝槽的填充方法和成膜系統(tǒng)。 背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路裝置在其內(nèi)部具有微細的溝槽結(jié)構(gòu)。微細的溝槽結(jié)構(gòu)的典型的例子為STI (Shallow Trench Isolation)。STI是將半導(dǎo)體元件的活性區(qū)域彼此分離的元件分離區(qū)域，通過在硅基板形成微細的溝槽并在該微細的溝槽的內(nèi)部填充絕緣物而形成。作為被填充的絕緣物，例如，如美國專利第7，112，513號所記載那樣公知有 SOD (旋轉(zhuǎn)涂布介電層Spin-0n Dielectric)，尤其以 PHP...
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